Публикации: CANNON 49 5F

1. Renesas Electronics анонсировала ультраминиатюрные 32-разрядные микроконтроллеры для подключаемых модулей Интернета вещей
   Новости Микроконтроллеры Renesas R5F56519BDBP R5F56519BDFM R5F5651EDDBP R5F5651EDDFM
   .. чем у 100-контактного корпуса LGA, и в 64-выводном корпусе LQFP (10 мм × 10 мм), размеры которого уменьшены на 49% по сравнению со 100-выводным корпусом LQFP. Микроконтроллеры удовлетворяют повышенным требованиям безопасности для ...

   Renesas Electronics Introduces Ultra-Small RX651 32-Bit Microcontrollers for IoT Connectivity Modules and Space-Constrained Edge Devices

   .. reduces footprint size by 59 percent compared to the 100-pin LGA, and a 64-pin (10 mm × 10 mm) LQFP that offers a 49 percent reduction versus the 100-pin LQFP. The MCUs address advanced security needs for endpoint devices employing ...

   08-08-2019

2. BSC079N10NS G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC079N10NS G
   

   .. 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# # < /?.> % ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H[Z#$YMd $9 )(( /&1 )(( J Y 6 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel ...
   .. Data Sheet Краткое содержание документа: % ! ! % %&$!#D # : A 0< < & ,9=4 : < => 7LHZ[XLY Q ' 3 81> > 5< ' ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B H' 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
   27-03-2011

3. BSC100N10NSF G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC100N10NSF G
   

   .. 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# # < /?.> % ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H[Z#$YMd $9 )(( )( 1( E=%I9HDC%0 J Y 6 Спецификации: Полярность транзистора: N ...
   .. 81B 6 B 78 65AE5> 3 I 1@@ C I? 5 75 ? 89 B 9 9 ? Q ( @D J54 6 B 43 3 ? > F C? > 9 =9 ? 43 5B9 Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B H' 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
   27-03-2011
4. BSC118N10NS G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC118N10NS G
   

   .. 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# # < /? .> % ? 8 8 ,< : C ) 9H ' 9H[Z#$YMd $9 )(( ))&0 /) J Y 6 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel ...
   .. Sheet Краткое содержание документа: % ! ! % # '% D #A 0& 9 4> < & : < < ==: , 8 IXU V MW M Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B H' 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
   27-03-2011
5. BSC123N08NS3 G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC123N08NS3 G
   

   .. 1> 3 ? Q' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q 1F 1> 3 85 D D 1< 5C 54 Q) 2 655 @< 9 + ? , 3 ? =@ D B 1D > 7 9 Q* E1 7 D $ 9 9 49 ? Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On Resistance Rds(on): 10.3 МОм ...
   27-03-2011
6. BSC152N10NSF G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC152N10NSF G
   

   .. 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# # < /?.> % ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H[Z#$YMd $9 )(( )-&* .+ E=%I9HDC%0 J Y 6 Спецификации: Полярность транзистора: N ...
   .. 81B 6 B 78 65AE5> 3 I 1@@ C I? 5 75 ? 89 B 9 9 ? Q ( @D J54 6 B 43 3 ? > F C? > 9 =9 ? 43 5B9 Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B H' 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
   27-03-2011
7. BSC196N10NS G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC196N10NS G
   

   .. 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# # < /?.> % ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H[Z#$YMd $9 E=%I9HDC%0 )(( )1&. ,J Y 6 Спецификации: Полярность транзистора: N ...
   .. Data Sheet Краткое содержание документа: % ! ! % %&$!#D # : A 0< < & ,9=4 : < => 7LHZ[XLY Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B H' 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 ' 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
   27-03-2011
8. BSC265N10LSF G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon BSC265N10LSF G
   

   .. 9I[# AC J @H 6 86 @5F4E ) ' $= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I[#$ZNe $9 F=%J9IED%0 )(( *.&,( K Z 6 R #562 =@C 7 9:8976BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 49C @FD C :7 E C H:E J? @? 64E:42 :@? R & @H @? C :D 2 ? 46 ' 9I[# 6D E R * 3 766 = 5 A=E 8 , @ - 4@> A= ...
   27-03-2011
9. IPB019N08N3 G — Datasheet Infineon -
   Datasheets Infineon IPB019N08N3 G
   

   .. 1> 3 ? Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q 1F 1> 3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? , 3 ? =@ D B 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On Resistance Rds(on): 1.6 МОм ...
   28-03-2011
10. IPB025N08N3 G — Datasheet Infineon -
    Datasheets Infineon IPB025N08N3 G
    

    .. 9D 5 R 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB > 7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? , 3 ? =@ D 1D > 7 9 Q * E1 7 D $ 9 9 49 ? )# TM Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On Resistance Rds(on): 2 МОм ...
    .. Data Sheet Краткое содержание документа: IPB025N08N3 G %&$!# 3 Power-Transistor Features Q ' 3 81> > 5< > ? B < 5< =1< 5F Q H3 5 D 5 3 81B HR 9H[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? > B 9D 5 R 9H[Z# I? 5CC 1> 3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB ...
    28-03-2011

Сортировать по: релевантность / дата